به منظور بدست آوردن روابط پاشندگی مدهای فونون- پولاریتون که به هنگام جفت شدگی فونون های اپتیکی با امواج الکترومغناطیسی در ساختارهای چند لایه ای مواد غیرخطی بوجود می آیند، یک روش تئوری ارائه می گردد. ساختار چند لایه ای شامل یک فیلم نازک است که توسط دو محیط نیمه بینهایت مسدود شده و هر لایه ممکن است دارای یک تابع دی الکتریک وابسته به فرکانس و از"نوع کر" باشد. حداقل یکی از محیط ها یک بلور یونی است که شامل مدهای فونونی اپتیکی است. برای چند حالت مختلف این ساختار هندسی، جواب های تحلیلی و عددی حاصل از روابط پاشندگی در نظر گرفته شده است. نتایج محاسبات نشان می دهند که حضور محیط ها با تابع دی الکتریک غیرخطی شاخه های چند تایی ایجاد می کنند. برای نمایش این شاخه ها، نمودارهای تغییرات فرکانس موثر برحسب ضریب غیر خطی محیط برای مدهای مختلف فونون- پولاریتون ارائه شده است. پارامترهای تغییر دهنده ی موثر مدهای مختلف فونون- پولاریتون در این ساختار عبارت اند از ضخامت لایه نازک، فرکانس های فونونی، ضریب غیرخطی محیطها.